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IRGP4066DPBF PDF预览

IRGP4066DPBF

更新时间： 2024-10-01 20:48:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 335K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3

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IRGP4066DPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：1.44外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：140 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：80 ns
门极发射器阈值电压最大值：6.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：454 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：90 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：310 ns标称接通时间 (ton)：120 ns
Base Number Matches：1

IRGP4066DPBF 数据手册

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PD - 97576  
IRGP4066DPbF  
IRGP4066D-EPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
• Low VCE (ON) Trench IGBT Technology  
• Low Switching Losses  
C
VCES = 600V  
• Maximum Junction Temperature 175 °C  
• 5 μS short circuit SOA  
IC(Nominal) = 75A  
• SquareRBSOA  
G
tSC ≥ 5μs, TJ(max) = 175°C  
• 100% of The Parts Tested for ILM  
• Positive VCE (ON) Temperature Coefficient  
• TightParameterDistribution  
• LeadFreePackage  
E
VCE(on) typ. = 1.70V  
n-channel  
C
Benefits  
C
• High Efficiency in a Wide Range of Applications  
• Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due to  
Low VCE (ON) and Low Switching Losses  
• Rugged Transient Performance for Increased Reliability  
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation  
E
E
C
C
G
G
TO-247AC  
TO-247AD  
IRGP4066DPbF  
IRGP4066D-EPbF  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Nominal Current  
600  
140  
V
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
INOMINAL  
90  
75  
ICM  
Pulse Collector Current, VGE = 15V  
Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V  
225  
A
ILM  
300  
IF @ TC = 25°C  
Diode Continous Forward Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Transient Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
140  
IF @ TC = 100°C  
90  
IFM  
300  
VGE  
±20  
V
±30  
PD @ TC = 25°C  
454  
W
PD @ TC = 100°C  
Maximum Power Dissipation  
227  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.33  
1.0  
Units  
RθJC (IGBT)  
RθJC (Diode)  
RθCS  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
°C/W  
–––  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
0.24  
–––  
–––  
40  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
1
www.irf.com  
10/08/2010  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRGP4066-EPBF INFINEON

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