5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NGTB50N65FL2WAG
NGTB50N65FL2WAG PDF预览

NGTB50N65FL2WAG

更新时间： 2023-09-03 20:38:57
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网双极性晶体管功率控制
页数 文件大小 规格书
11页 227K
描述
IGBT，650V，场截止 II，50 A

阅读下载

中文翻译

获取价格

NGTB50N65FL2WAG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T4Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.7
最大集电极电流 (IC)：160 A集电极-发射极最大电压：650 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T4JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：417 W表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：223 ns
标称接通时间 (ton)：60 nsVCEsat-Max：2 V
Base Number Matches：1

NGTB50N65FL2WAG 数据手册

 浏览型号NGTB50N65FL2WAG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NGTB50N65FL2WAG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NGTB50N65FL2WAG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NGTB50N65FL2WAG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NGTB50N65FL2WAG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NGTB50N65FL2WAG的Datasheet PDF文件第7页 
NGTB50N65FL2WAG  
IGBT - Field Stop II / 4 Lead  
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and  
cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior  
performance in demanding switching applications, offering both low  
on state voltage and minimal switching loss. In addition, this new  
device is packaged in a TO−247−4L package that provides significant  
www.onsemi.com  
reduction in E Losses compared to standard TO−247−3L package.  
on  
The IGBT is well suited for UPS and solar applications. Incorporated  
into the device is a soft and fast co−packaged free wheeling diode with  
a low forward voltage.  
50 A, 650 V  
VCEsat = 1.8 V  
Features  
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology  
Eon = 0.48 mJ  
• T  
= 175°C  
Jmax  
C
• Improved Gate Control Lowers Switching Losses  
• Separate Emitter Drive Pin  
• TO−247−4L for Minimal E Losses  
on  
• Optimized for High Speed Switching  
• This is a Pb−Free Device  
G
E1  
Typical Applications  
E
• Solar Inverters  
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)  
• Neutral Point Clamp Topology  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
V
TO−247  
CASE 340AR  
4 LEAD  
C
E
E1  
Collector−emitter voltage  
V
CES  
650  
G
Collector current  
@ TC = 25°C  
I
C
A
160  
50  
@ TC = 100°C  
MARKING DIAGRAM  
Diode Forward Current  
@ TC = 25°C  
I
F
A
160  
50  
@ TC = 100°C  
Diode Pulsed Current  
I
160  
A
A
V
FM  
T
Limited by T Max  
PULSE  
J
50N65FL2  
AYWWG  
Pulsed collector current, T  
I
160  
pulse  
CM  
limited by T  
Jmax  
Gate−emitter voltage  
Transient gate−emitter voltage  
V
$20  
$30  
GE  
(T = 5 ms, D < 0.10)  
PULSE  
Power Dissipation  
P
D
W
50N65FL2 = Specific Device Code  
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
417  
208  
A
= Assembly Location  
= Year  
Y
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
T
−55 to +175  
−55 to +175  
260  
°C  
°C  
°C  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
J
T
stg  
Lead temperature for soldering, 1/8”  
from case for 5 seconds  
T
SLD  
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
Device  
Package  
Shipping  
30 Units / Rail  
NGTB50N65FL2WAG  
TO−247  
(Pb−Free)  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
September, 2016 − Rev. 1  
NGTB50N65FL2WA/D  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与NGTB50N65FL2WAG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NGTB50N65FL2WG ONSEMI

获取价格

 		IGBT - Field Stop II
NGTB50N65FL2WG_16 ONSEMI

获取价格

 		IGBT - Field Stop II
NGTB50N65S1WG ONSEMI

获取价格

 		IGBT，FSII，650V，50A
NGTB60N60SWG ONSEMI

获取价格

 		IGBT
NGTB60N65FL2WG ONSEMI

获取价格

 		IGBT，650V，60A，场截止 2 IGBT
NGTB75N60FL2WG ONSEMI

获取价格

 		IGBT
NGTB75N60FL2WG_16 ONSEMI

获取价格

 		IGBT
NGTB75N60SWG ONSEMI

获取价格

 		IGBT 600V/75A - Welding
NGTB75N65FL2WAG ONSEMI

获取价格

 		IGBT - Field Stop II / 4 Lead
NGTB75N65FL2WAG_16 ONSEMI

获取价格

 		IGBT - Field Stop II / 4 Lead

与NGTB50N65FL2WAG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证