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NGTB50N65FL2WG

更新时间： 2024-01-26 02:35:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 217K
描述
IGBT - Field Stop II

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NGTB50N65FL2WG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：17 weeks
风险等级：1.37最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：650 V门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-609代码：e3
最高工作温度：175 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：417 W
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

NGTB50N65FL2WG 数据手册

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NGTB50N65FL2WG  
IGBT - Field Stop II  
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and  
cost effective Field Stop II Trench construction, and provides superior  
performance in demanding switching applications, offering both low  
on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited  
for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft  
and fast co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage.  
www.onsemi.com  
Features  
50 A, 650 V  
CEsat = 1.80 V  
EOFF = 0.46 mJ  
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology  
V
• T  
= 175°C  
Jmax  
• Soft Fast Reverse Recovery Diode  
• Optimized for High Speed Switching  
• 5 ms Short−Circuit Capability  
• This is a Pb−Free Device  
C
Typical Applications  
• Solar Inverters  
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)  
• Welding  
G
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
VCES  
IC  
Value  
Unit  
V
Collector−emitter voltage  
650  
Collector current  
@ TC = 25°C  
A
TO−247  
CASE 340AL  
100  
50  
G
@ TC = 100°C  
C
E
Diode Forward Current  
@ TC = 25°C  
I
F
A
100  
50  
@ TC = 100°C  
MARKING DIAGRAM  
Diode Pulsed Current  
I
200  
200  
5
A
A
FM  
T
Limited by T Max  
PULSE  
J
Pulsed collector current, T  
I
pulse  
CM  
limited by T  
Jmax  
Short−circuit withstand time  
= 15 V, V = 400 V,  
t
ms  
SC  
50N65FL2  
AYWWG  
V
GE  
CE  
T ≤ +150°C  
J
Gate−emitter voltage  
VGE  
$20  
$30  
V
V
Transient gate−emitter voltage  
(T  
PULSE  
= 5 ms, D < 0.10)  
Power Dissipation  
PD  
W
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
417  
208  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Operating junction temperature  
range  
T
J
−55 to +175  
°C  
Storage temperature range  
T
−55 to +175  
260  
°C  
°C  
stg  
ORDERING INFORMATION  
Lead temperature for soldering, 1/8”  
from case for 5 seconds  
T
SLD  
Device  
NGTB50N65FL2WG  
Package  
Shipping  
30 Units / Rail  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
TO−247  
(Pb−Free)  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
September, 2016 − Rev. 5  
NGTB50N65FL2W/D  
1234567...11

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NGTB50N65FL2WG 替代型号

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