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NGTB60N65FL2WG

更新时间： 2024-11-06 11:13:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网双极性晶体管功率控制
页数 文件大小 规格书
9页 236K
描述
IGBT，650V，60A，场截止 2 IGBT

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NGTB60N65FL2WG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：1 week风险等级：2.13
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：650 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：6.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：595 W
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：278 ns标称接通时间 (ton)：168 ns
VCEsat-Max：2 V

NGTB60N65FL2WG 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
IGBT - Field Stop II  
NGTB60N65FL2WG  
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and  
cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides  
superior performance in demanding switching applications, offering  
both low on state voltage and minimal switching loss.  
60 A, 650 V  
VCEsat = 1.64 V  
Eoff = 0.66 mJ  
C
Features  
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology  
G
• T  
= 175°C  
Jmax  
• Soft Fast Reverse Recovery Diode  
• Optimized for High Speed Switching  
• 5 ms Short−Circuit Capability  
• These are Pb−Free Devices  
E
Typical Applications  
• Solar Inverters  
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)  
• Welding  
G
C
E
TO−247  
CASE 340AM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector−emitter Voltage  
Collector Current  
Symbol  
V
Value  
Unit  
V
MARKING DIAGRAM  
650  
CES  
I
C
A
@ T = 25°C  
100  
60  
C
@ T = 100°C  
C
Diode Forward Current  
I
F
A
60N65FL2  
AYWWG  
@ T = 25°C  
100  
60  
C
@ T = 100°C  
C
Diode Pulsed Current  
I
240  
240  
5
A
A
FM  
T
Limited by T Max  
PULSE  
J
Pulsed Collector Current, T  
I
pulse  
CM  
Limited by T  
Jmax  
Short−circuit Withstand Time  
t
ms  
SC  
60N65FL2 = Specific Device Code  
V
J
= 15 V, V = 400 V,  
GE  
CE  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
T ≤ +150°C  
Gate−emitter Voltage  
V
GE  
20  
30  
V
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Transient Gate−emitter Voltage  
(T  
PULSE  
= 5 ms, D < 0.10)  
Power Dissipation  
P
W
D
ORDERING INFORMATION  
@ T = 25°C  
595  
265  
C
@ T = 100°C  
C
Device  
NGTB60N65FL2WG  
Package  
Shipping  
30 Units / Rail  
Operating Junction Temperature  
Range  
T
−55 to +175  
°C  
J
TO−247  
(Pb−Free)  
Storage Temperature Range  
T
−55 to +175  
°C  
°C  
stg  
Lead temperature for soldering, 1/8″  
from case for 5 seconds  
T
SLD  
260  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
October, 2021 − Rev. 2  
NGTB60N65FL2W/D  
1234567...9

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