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MT3S109FS

更新时间： 2024-09-12 21:00:47

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	66K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-1E1A, FSM, 3 PIN, BIP RF Small Signal

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MT3S109FS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.4	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	基于收集器的最大容量：	0.95 pF
集电极-发射极最大电压：	6 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	75	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)：	7000 MHz	Base Number Matches：	1

MT3S109FS 数据手册

MT3S109FS

TOSHIBA TRANSISTOR SILICON-GERMANIUM NPN EPITAXIAL PLANER TYPE

MT3S109FS

VCO OSCILLETOR STAGE

VHF-UHF Low Noise Amplifier Application

Unit:mm

1.0±0.05

0.8±0.05

FEATURES

•

Low Noise Figure :NF=1.35dB (@f=2GHz)

High Gain:|S21e|²=8.2dB (@f=2GHz)

Leed (Pb)-free.

0.1±0.05

Marking

4 4

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector-Current

CBO

CEO

EBO

fSM

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

2-1E1A

°C

Weight: 0.0006 g

Base-Current

Collector Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature Range

P (Note)

100

150

−55~150

stg

Note: Device mounted on a glass-epoxy PCB(1.0 cm²x 1.0 mm (t))

2005-06-13

12 3

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