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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> MT3S11FS
MT3S11FS PDF预览

MT3S11FS

更新时间： 2024-09-12 04:14:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 148K
描述
VHF~UHF Band Low-Noise Amplifier Applications

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MT3S11FS 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.04 A基于收集器的最大容量：0.9 pF
集电极-发射极最大电压：6 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.085 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：6000 MHzBase Number Matches：1

MT3S11FS 数据手册

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MT3S11FS  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type  
MT3S11FS  
Unit: mm  
VHF~UHF Band Low-Noise Amplifier Applications  
VHF~UHF Band Oscillator Applications  
•
•
Superior performance in oscillator applications.  
Superior noise characteristics  
:NF = 2.4 dB, |S21e|2 = 3.5 dB (f =2GHz)  
1
3
2
0.8±0.05  
1.0±0.05  
0.1±0.05  
0.1±0.05  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
1.Base  
2.Emitter  
3.Collector  
fSM  
Collector- base voltage  
Collector- emitter voltage  
Emitter- base voltage  
Collector current  
V
V
V
13  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
6
1
JEDEC  
JEITA  
TOSHIBA  
―
―
V
I
40  
mA  
mW  
mW  
°C  
°C  
C
2-1E1A  
Base current  
I
10  
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
85  
C(Note)  
Weight: 0.0006g (typ.)  
T
j
125  
−55~125  
T
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note: 10 mm2 × 1.0 mm (t), mounted on a glass-epoxy printed circuit board.  
Marking  
2
1
3
0 8  
1
2007-11-01  
123

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