MT3S36T

更新时间： 2024-01-02 00:58:38

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东芝 - TOSHIBA		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器局域网
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TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE

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MT3S36T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.036 A	基于收集器的最大容量：	0.85 pF
集电极-发射极最大电压：	4.5 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	19000 MHz	Base Number Matches：	1

MT3S36T 数据手册

MT3S36T

TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE

MT3S36T

VCO OSCILLETOR STAGE

UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION

Unit: mm

FEATURES

Low Noise Figure :NF=1.3dB (@f=2GHz)

High Gain:|S21e|²=12.5dB (@f=2GHz)

Marking

Q 3

TESM

JEDEC

―

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

JEITA

TOSHIBA

2-1B1A

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Weight:0.0022g (typ.)

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector-Current

CBO

CEO

EBO

4.5

1.5ꢀ

°C

Base-Current

Collector Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature Range

100

150

−55~150

stg

2002-08-19

12 3 4

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