MT3S37FS

更新时间： 2024-02-28 19:48:24

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东芝 - TOSHIBA		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
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UHF Low-Noise Amplifier Application

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MT3S37FS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.76	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1 pF	集电极-发射极最大电压：	4.5 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	19000 MHz
Base Number Matches：	1

MT3S37FS 数据手册

MT3S37FS

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type

MT3S37FS

VCO Oscillator Stage

Unit: mm

UHF Low-Noise Amplifier Application

1.0±0.05

0.8±0.05

FEATURES

•

Low-Noise Figure: NF = 1.2 dB (@ f = 2 GHz)

High Gain: |S21e|²= 12.0 dB (@ f = 2 GHz)

0.1±0.05

Marking

2 2

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

CBO

CEO

EBO

4.5

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector-current

fSM

1.5

JEDEC

JEITA

°C

Base-current

TOSHIBA

2-1E1A

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

(Note 1)

100

150

−55~150

Weight: 0.0006 g (typ.)

stg

Note:

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Device mounted on a glass-epoxy PCB (1.0 cm²x 0.8 mm (t))

2007-11-01

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