MT3S41FS

更新时间： 2024-11-09 04:14:19

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东芝 - TOSHIBA		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
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VCO OSCILLETOR STAGE UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION

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MT3S41FS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.4
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.08 A
基于收集器的最大容量：	1.1 pF	集电极-发射极最大电压：	4.5 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15000 MHz
Base Number Matches：	1

MT3S41FS 数据手册

MT3S41FS

TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE

MT3S41FS

VCO OSCILLETOR STAGE

UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION

Unit:mm

1.0±0.05

0.8±0.05

FEATURES

Low Noise Figure :NF=1.2dB (@f=2GHz)

High Gain:|S21e|²=10.0dB (@f=2GHz)

0.1±0.05

Marking

2 6

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector-Current

4.5

CBO

CEO

EBO

fSM

1.5ꢀ

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

°C

Base-Current

2-1E1A

Collector Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature Range

P (Note)

100

Weight: 0.0006 g

150

−55~150

stg

Note: Device mounted on a glass-epoxy PCB(0.88 cm²×0.7 mm (t))

2003-02-14

12 3 4

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