MT3S46T

更新时间： 2024-02-13 02:59:04

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东芝 - TOSHIBA		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
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VCO OSCILLETOR STAGE UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION

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MT3S46T 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.04 A	基于收集器的最大容量：	1.2 pF
集电极-发射极最大电压：	4.5 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	16000 MHz	Base Number Matches：	1

MT3S46T 数据手册

MT3S46T

TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE

TENTATIVE

MT3S46T

VCO OSCILLETOR STAGE

UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION

Unit: mm

FEATURES

Low Noise Figure :NF=1.2dB (@f=2GHz)

High Gain:|S21e|²=11.5dB (@f=2GHz)

Marking

R 5

TESM

JEDEC

―

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

JEITA

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

TOSHIBA

2-1B1A

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector-Current

4.5

CBO

CEO

EBO

Weight:0.0022g (typ.)

1.5ꢀ

°C

Base-Current

Collector Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature Range

100

150

−55~150

stg

2002-11-14

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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MT-40.00422OHM1%4T	VISHAY	Fixed Resistor, Wire Wound, 4.5W, 0.00422ohm, 1% +/-Tol, -20,20ppm/Cel	获取价格
MT-40.00453OHM0.1%4T	VISHAY	Fixed Resistor, Wire Wound, 4.5W, 0.00453ohm, 0.1% +/-Tol, -20,20ppm/Cel	获取价格
MT-40.00453OHM0.5%4T	VISHAY	Fixed Resistor, Wire Wound, 4.5W, 0.00453ohm, 0.5% +/-Tol, -20,20ppm/Cel	获取价格
MT-40.00453OHM1%4T	VISHAY	Fixed Resistor, Wire Wound, 4.5W, 0.00453ohm, 1% +/-Tol, -20,20ppm/Cel	获取价格