MT3S45T

更新时间： 2024-02-06 13:26:13

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东芝 - TOSHIBA		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
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VCO OSCILLETOR STAGE UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION

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MT3S45T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	1.1 pF	集电极-发射极最大电压：	4.5 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	18000 MHz
Base Number Matches：	1

MT3S45T 数据手册

MT3S45T

TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE

MT3S45T

VCO OSCILLETOR STAGE

UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION

Unit: mm

FEATURES

Low Noise Figure :NF=1.1dB (@f=2GHz)

High Gain:|S21e|²=12.0dB (@f=2GHz)

Marking

R 4

TESM

JEDEC

―

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

JEITA

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

TOSHIBA

2-1B1A

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector-Current

4.5

CBO

CEO

EBO

Weight:0.0022g (typ.)

1.5ꢀ

°C

Base-Current

Collector Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature Range

100

150

−55~150

stg

2002-11-13

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MT3S46T	TOSHIBA	VCO OSCILLETOR STAGE UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION	获取价格
MT-4	RIEDON	Low Ohm Power Resistors	获取价格
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MT-40.00422OHM1%4T	VISHAY	Fixed Resistor, Wire Wound, 4.5W, 0.00422ohm, 1% +/-Tol, -20,20ppm/Cel	获取价格
MT-40.00453OHM0.1%4T	VISHAY	Fixed Resistor, Wire Wound, 4.5W, 0.00453ohm, 0.1% +/-Tol, -20,20ppm/Cel	获取价格
MT-40.00453OHM0.5%4T	VISHAY	Fixed Resistor, Wire Wound, 4.5W, 0.00453ohm, 0.5% +/-Tol, -20,20ppm/Cel	获取价格