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MT3S40FS

更新时间： 2024-02-18 09:03:36

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	116K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1E1A, FSM, 3 PIN, BIP RF Small Signal

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MT3S40FS 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A	基于收集器的最大容量：	0.95 pF
集电极-发射极最大电压：	4.5 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	17000 MHz	Base Number Matches：	1

MT3S40FS 数据手册

MT3S40FS

TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE

MT3S40FS

VCO OSCILLETOR STAGE

UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION

Unit:mm

1.0±0.05

0.8±0.05

FEATURES

Low Noise Figure :NF=1.2dB (@f=2GHz)

High Gain:|S21e|²=11.0dB (@f=2GHz)

0.1±0.05

Marking

2 5

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector-Current

4.5

CBO

CEO

EBO

fSM

1.5ꢀ

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

°C

Base-Current

2-1E1A

Collector Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature Range

P (Note)

100

Weight: 0.0006 g

150

−55~150

stg

Note: Device mounted on a glass-epoxy PCB(0.88 cm²×0.7 mm (t))

2003-02-14

12 3 4

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