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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> MT3S22P
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MT3S22P

更新时间： 2024-09-15 12:23:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 196K
描述
VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications

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MT3S22P 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-62
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.77
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.08 A
基于收集器的最大容量：1.25 pF集电极-发射极最大电压：6 V
配置：SINGLE最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：8500 MHzBase Number Matches：1

MT3S22P 数据手册

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MT3S22P  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type  
MT3S22P  
VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications  
Unit: mm  
FEATURES  
•
•
Low Noise Figure: NF=1.5dB(Typ.) (@f=1GHz)  
High Gain: |S21e|2=10.5dB(Typ.) (@f=1GHz)  
Marking  
T 5  
PW-Mini  
JEDEC  
JEITA  
-
SC-62  
2-5K1A  
TOSHIBA  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Weight: 0.05 g (Typ.)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
12  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector-current  
6
2
80  
V
I
mA  
mA  
mW  
W
C
Base-current  
I
10  
B
Collector power dissipation  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
400  
C
P (Note1)  
C
1.8  
T
j
150  
°C  
°C  
T
stg  
−55 to 150  
Note.1: The device is mounted on a ceramic board (25mm × 25mm × 0.8 mm (t))  
Note.2 : Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2009-12-10  
12345

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