Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MRF21030LSR3

MRF21030LSR3

更新时间： 2024-11-14 22:35:15

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器
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描述
RF Power Field Effect Transistors

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MRF21030LSR3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF21030LSR3 数据手册

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Freescale Semiconductor, Inc.

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by MRF21030/D

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MRF21030LR3

MRF21030LSR3

Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from

2.0 to 2.2 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier

applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL

applications.

• Wideband CDMA Performance: -45 dB ACPR @ 4.096 MHz, 28 Volts

Output Power — 3.5 Watts

2.2 GHz, 30 W, 28 V

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

Power Gain — 14 dB

Efficiency — 15%

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2.11 GHz, 30 Watts CW

Output Power

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40µ″ Nominal.

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.

CASE 465E-04, STYLE 1

NI-400

MRF21030LR3

CASE 465F-04, STYLE 1

NI-400S

MRF21030LSR3

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

83.3

0.48

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

200

°C

stg

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

2 (Minimum)

M3 (Minimum)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

2.1

°C/W

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

Rev. 10

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF21030LR3 MRF21030LSR3

 Motorola, Inc. 2004

For More Information On This Product,

Go to: www.freescale.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF21030R3	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL ENANCEMENT- MODE LATERAL MOSFETS
MRF21030S	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
MRF21030SR3	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL ENANCEMENT- MODE LATERAL MOSFETS
MRF21045	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21045	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21045LR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21045LR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21045LR3_08	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
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MRF21045LSR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors

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