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MRF21060S

更新时间： 2024-11-05 19:52:23
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 131K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 465A-06, 3 PIN

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MRF21060S 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 465A-06, 3 PINReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-CDFP-F2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF21060S 数据手册

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M OT O RO LA  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF MOSFET Line  
MR F 21060  
Tr a ns is to r s  
MR F 2106 0R 3  
R
F
P
o
w
e
r
F
i
e
l
d
E
f
f
e
c
t
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs  
M
R
F
2
1
0
6
0
S
Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from  
2.1 to 2.2 GHz. Suitable for W–CDMA, CDMA, TDMA, GSM and multicarrier  
amplifier applications.  
M
R
F
2
1
0
6
0
S
R
3
•
Typical W–CDMA Performance: 2140 MHz, 28 Volts  
5 MHz Offset @ 4.096 MHz BW, 15 DTCH  
Output Power — 6.0 Watts  
2170 MHz, 60 W, 28 V  
LATERAL N–CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
Power Gain — 12.5 dB  
Drain Efficiency — 15%  
•
•
•
•
•
Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use  
High Gain, High Efficiency and High Linearity  
Integrated ESD Protection  
Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness  
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2.11 GHz, 60 Watts (CW)  
Output Power  
CASE 465–06, STYLE 1  
(NI–780)  
•
•
•
Excellent Thermal Stability  
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters  
Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch  
Reel.  
(MRF21060)  
CASE 465A–06, STYLE 1  
(NI–780S)  
(MRF21060S)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain–Source Voltage  
Gate–Source Voltage  
V
DSS  
V
GS  
+15, –0.5  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
D
180  
Watts  
C
Derate above 25°C  
0.98  
W/°C  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
–65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS  
Test Conditions  
Class  
Human Body Model  
Machine Model  
2 (Minimum)  
M3 (Minimum)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
1.02  
°C/W  
θ
JC  
NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 4  
MOTOROLA WIRELESS  
RF PRODUCT DEVICE DATA  
MRF21060 MRF21060R3 MRF21060S MRF21060SR3  
5.2–303  
123456

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