MRF21125S

更新时间： 2024-11-05 22:45:59

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器
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RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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MRF21125S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF21125S 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF21125/D

The RF Sub–Micron MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110

to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applica-

tions. To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio and WLL

applications.

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2170 MHz, 125 W, 28 V

LATERAL N–CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• Typical 2–carrier W–CDMA Performance for V_DD= 28 Volts, I_DQ= 1600

mA, f1 = 2.1125 GHz, f2 = 2.1225 GHz, Channel bandwidth = 3.84 MHz,

adjacent channels at 5 MHz , ACPR and IM3 measured in 3.84 MHz

bandwidth. Peak/Avg = 8.5 dB @ 0.01% probability on CCDF.

Output Power — 20 Watts

Efficiency — 18%

Gain — 13 dB

IM3 — –43 dBc

ACPR — –45 dBc

• 100% Tested under 2–carrier W–CDMA

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

CASE 465B–03, STYLE 1

(NI–880)

(MRF21125)

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2170 MHz, 125 Watts (CW)

Output Power

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

• Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

CASE 465C–02, STYLE 1

(NI–880S)

(MRF21125S)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

+15, –0.5

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

330

1.89

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +150

200

°C

stg

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

2 (Minimum)

M3 (Minimum)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.53

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 5

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF21125 MRF21125S MRF21125SR3

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF21125SR3	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF21125SR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21180	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistor
MRF21180	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistor
MRF21180R6	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistor
MRF21180R6	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistor
MRF21180R6_06	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistor
MRF21180S	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
MRF221	MOTOROLA	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN
MRF224	MOTOROLA	获取价格	40W, 175MHz RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

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