MRF240A

更新时间： 2024-11-06 04:14:39

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRF240A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	8 A
基于收集器的最大容量：	125 pF	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF240A 数据手册

MRF240A

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI MRF240A is Designed for

Class C Amplifier Applications in VHF

Mobile Radios.

PACKAGE STYLE .380 4L FLG

FEATURES:

.112 x 45°

Ø.125 NOM.

FULL R

• P_G= 9.0 dB Min. at 40 W /160 MHz

• η_C= 55% Min. at 40 W /160 MHz

• Omnigold™ Metalization System

.125

MAXIMUM RATINGS

8.0 A

36 V

I_C

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

18 V

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

4.0 V

100 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

2.9 °C/W

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

.240 / 6.10

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CES

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 20 mA

I_E= 5.0 mA

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

4.0

_CB= 15 V

_CE= 5.0 V

---

I_C= 4.0 A

150

h_FE

_CB= 12.5 V

f = 1.0 MHz

f = 160 MHz

125

C_ob

9.0

P_G

V_CC= 12.5 V

P_OUT= 40 W

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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