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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> MRF240
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MRF240

更新时间： 2024-11-19 22:31:23
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管射频
页数 文件大小 规格书
6页 133K
描述
RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

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MRF240 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.07最大集电极电流 (IC)：8 A
基于收集器的最大容量：125 pF集电极-发射极最大电压：16 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-CRPM-F4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：100 W最小功率增益 (Gp)：9 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF240 数据手册

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by MRF240/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
. . . designed for 13.6 volt VHF large–signal class C and class AB linear power  
amplifier applications in commercial and industrial equipment.  
•
•
High Common Emitter Power Gain  
Specified 13.6 V, 160 MHz Performance:  
Output Power = 40 Watts  
Power Gain = 9.0 dB Min  
40 W, 145–175 MHz  
RF POWER  
TRANSISTORS  
NPN SILICON  
Efficiency = 55% Min  
•
•
•
Load Mismatch Capability at Rated Voltage and RF Drive  
Silicon Nitride Passivated  
Low Intermodulation Distortion, d = –30 dB Typ  
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
16  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
36  
4.0  
8.0  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)  
Derate above 25°C  
P
D
100  
0.57  
Watts  
W/°C  
C
CASE 145A–09, STYLE 1  
Storage Temperature Range  
T
stg  
–65 to +150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case (2)  
Symbol  
Max  
Unit  
R
1.75  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 20 mAdc, I = 0)  
V
16  
36  
4.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
10  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 20 mAdc, V = 0)  
V
(BR)CES  
C
BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 5.0 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 15 Vdc, I = 0)  
I
mAdc  
CBO  
CB  
E
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 4.0 Adc, V  
C CE  
h
10  
—
70  
90  
150  
125  
—
FE  
= 5.0 Vdc)  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
C
pF  
ob  
(V  
CB  
= 12.5 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)  
E
NOTES:  
(continued)  
1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF amplifier.  
2. Thermal Resistance is determined under specified RF operating conditions by infrared measurement techniques.  
Motorola, Inc. 1994  
123456

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