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MRF233

更新时间: 2024-09-16 19:26:43
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
1页 84K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN

MRF233 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.62
最大集电极电流 (IC):3.5 A基于收集器的最大容量:120 pF
集电极-发射极最大电压:18 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-CRPM-F4元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN最小功率增益 (Gp):10 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MRF233 数据手册

  

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