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MRF238

更新时间： 2024-11-19 21:55:47

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	16K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRF238 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	最大集电极电流 (IC)：	5 A
基于收集器的最大容量：	130 pF	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	65 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF238 数据手册

MRF238

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .380" 4L STUD

.112x45°

DESCRIPTION:

ØC

The MRF238 is Designed for

13.6 V FM Large-Signal Amplifier

Applications to 175 MHz.

#8-32 UNC-2A

MAXIMUM RATINGS

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

5.0 A ^(CONT)

18 V

I_C

.220 / 5.59

.980 / 24.89

.370 / 9.40

.004 / 0.10

.320 / 8.13

.100 / 2.54

.450 / 11.43

.090 / 2.29

.155 / 3.94

.230 / 5.84

.385 / 9.78

.007 / 0.18

.330 / 8.38

.130 / 3.30

.490 / 12.45

.100 / 2.54

.175 / 4.45

.750 / 19.05

V_CE

60 V

V_CB

P_DISS

T_STG

65 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 15 mA

I_C= 100 mA

I_E= 5.0 mA

V_CB= 30 V

V_CE= 5.0 V

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

4.0

2.0

---

h_FE

I_C= 1.0 A

5.0

C_ob

V_CB= 15 V

f = 1.0 MHz

f = 160 MHz

105

130

G_PE

9.0

V_CC= 13.6 V

P_out= 30 W

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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