MRF237

更新时间： 2024-11-19 21:53:47

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ASI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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1页	37K
描述
SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR

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MRF237 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	基于收集器的最大容量：	20 pF
集电极-发射极最大电压：	18 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	8 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF237 数据手册

MRF237

SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The MRF237 is

designed for large signal power

amplifier applications operating to

225 MHz

PACKAGE STYLE TO-39

MAXIMUM RATINGS

1.0 A

36 V

I_C

V_CBO

V_CEO

P_DISS

T_J

18 V

8.0 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

22 °C/W

1 = EMITTER

2 = BASE

3 = COLLECTOR

T_STG

θ_JC

TRANS1.SYM

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_C= 10 mA

I_C= 5.0 mA

I_C= 1.0 mA

BV_CES

BV_EBO

I_CBO

4.0

_CE= 15 V

.25

---

h_FE

V_CE= 5.0 V

I_C= 250 mA

5.0

C_OB

G_PE

V_CB= 15 V

f = 1.0 MHz

P_OUT= 4.0 W f = 175 MHz

V_CC= 12.5 V

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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MRF237 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE361	NTE	功能相似	Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 2W @ 512MHz
SD1127	MICROSEMI	功能相似	RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF COMMUNICATIONS
BFW16A	CENTRAL	功能相似	Small Signal Transistors

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