MRF21090

更新时间： 2024-11-04 22:35:15

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
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RF Power Field Effect Transistors

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MRF21090 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	270 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF21090 数据手册

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Freescale Semiconductor, Inc.

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by MRF21090/D

The RF Sub-Micron MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MRF21090R3

MRF21090SR3

Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110

to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier

applications.

2170 MHz, 90 W, 28 V

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• Typical W-CDMA Performance for 2140 MHz, 28 Volts

4.096 MHz BW @ 5 MHz offset, 1 PERCH 15 DTCH:

Output Power — 11.5 Watts

Efficiency — 16%

Gain — 12.2 dB

ACPR — -45 dBc

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2110 MHz, 90 Watts CW

Output Power

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

CASE 465B-03, STYLE 1

NI-880

MRF21090R3

CASE 465C-02, STYLE 1

NI-880S

MRF21090SR3

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

+15, -0.5

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

270

1.54

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Value

Unit

0.65

°C/W

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 6

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF21090R3 MRF21090SR3

 Motorola, Inc. 2004

For More Information On This Product,

Go to: www.freescale.com

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MRF21090R3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21090R3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21090R3_06	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21090S	MOTOROLA	获取价格	S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN
MRF21090SR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21090SR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21120	MOTOROLA	获取价格	The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Trasistor N-Channel Enhancement-Mode L
MRF21120R6	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistor
MRF21125	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
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