MRF21090SR3

更新时间： 2024-11-04 22:35:15

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器
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RF Power Field Effect Transistors

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MRF21090SR3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	270 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF21090SR3 数据手册

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Freescale Semiconductor, Inc.

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by MRF21090/D

The RF Sub-Micron MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MRF21090R3

MRF21090SR3

Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110

to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier

applications.

2170 MHz, 90 W, 28 V

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• Typical W-CDMA Performance for 2140 MHz, 28 Volts

4.096 MHz BW @ 5 MHz offset, 1 PERCH 15 DTCH:

Output Power — 11.5 Watts

Efficiency — 16%

Gain — 12.2 dB

ACPR — -45 dBc

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2110 MHz, 90 Watts CW

Output Power

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

CASE 465B-03, STYLE 1

NI-880

MRF21090R3

CASE 465C-02, STYLE 1

NI-880S

MRF21090SR3

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

+15, -0.5

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

270

1.54

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Value

Unit

0.65

°C/W

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 6

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF21090R3 MRF21090SR3

 Motorola, Inc. 2004

For More Information On This Product,

Go to: www.freescale.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF21120	MOTOROLA	获取价格	The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Trasistor N-Channel Enhancement-Mode L
MRF21120R6	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistor
MRF21125	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21125	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF21125R3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21125S	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF21125SR3	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF21125SR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21180	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistor
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