MRF21060

更新时间： 2024-11-04 22:35:15

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
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描述
RF Power Field Effect Transistors

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MRF21060 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF21060 数据手册

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Freescale Semiconductor, Inc.

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by MRF21060/D

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MRF21060R3

MRF21060SR3

Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from

2.1 to 2.2 GHz. Suitable for W-CDMA, CDMA, TDMA, GSM and multicarrier

amplifier applications.

• Typical W-CDMA Performance: 2140 MHz, 28 Volts

5 MHz Offset @ 4.096 MHz BW, 15 DTCH

Output Power — 6.0 Watts

2170 MHz, 60 W, 28 V

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

Power Gain — 12.5 dB

Drain Efficiency — 15%

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2.11 GHz, 60 Watts CW

Output Power

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch Reel.

CASE 465-06, STYLE 1

NI-780

MRF21060R3

CASE 465A-06, STYLE 1

NI-780S

MRF21060SR3

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

180

0.98

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

- 65 to +150

200

°C

stg

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Value

Unit

1.02

°C/W

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

2 (Minimum)

M3 (Minimum)

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 6

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF21060R3 MRF21060SR3

 Motorola, Inc. 2004

For More Information On This Product,

Go to: www.freescale.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF21060LR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21060LSR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21060LSR3	NXP	获取价格	S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
MRF21060R3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21060S	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
MRF21060SR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21085	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21085	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF21085LR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
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