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MRF18090BR3

更新时间： 2024-01-04 18:49:04

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器局域网
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8页	393K
描述
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF18090BR3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.13	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF18090BR3 数据手册

Document Number: MRF18090B

Rev. 7, 5/2006

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

MRF18090BR3

MRF18090BSR3

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from

1.9 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier

applications. To be used in class AB for GSM and EDGE cellular radio

applications.

• GSM and EDGE Performances, Full Frequency Band

Power Gain — 13.5 dB (Typ) @ 90 Watts (CW)

Efficiency — 45% (Typ) @ 90 Watts (CW)

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 90 Watts CW Output Power

Features

1.90 - 1.99 GHz, 90 W, 26 V

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETS

• Internally Matched for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

CASE 465B-03, STYLE 1

NI-880

MRF18090BR3

CASE 465C-02, STYLE 1

NI-880S

MRF18090BSR3

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +65

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

250

1.43

W/°C

Storage Temperature Range

Case Operating Temperature

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

150

°C

stg

200

Table 2. Thermal Characteristics

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.7

°C/W

Table 3. ESD Protection Characteristics

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

2 (Minimum)

M3 (Minimum)

MRF18090BR3 MRF18090BSR3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF18090BS	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF18090BSR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF181SR1	ONSEMI	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 458B-02, 3 PIN
MRF181SR1	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 458B-02, 2 PIN
MRF181ZR1	ONSEMI	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 458C-02, 3 PIN
MRF181ZR1	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 458C-02, 2 PIN
MRF182	MOTOROLA	获取价格	LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF182	ASI	获取价格	RF POWER FET TRANSISTOR
MRF182R1	MOTOROLA	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 360B-05, 3 PIN
MRF182S	MOTOROLA	获取价格	LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

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