MRF176GU

更新时间： 2024-11-04 22:22:15

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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描述
N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs

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MRF176GU 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	125 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F4
元件数量：	2	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	400 W	最大功率耗散 (Abs)：	400 W
最小功率增益 (Gp)：	12 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF176GU 数据手册

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by MRF176GU/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF MOSFET Line

N–Channel Enhancement–Mode

Designed for broadband commercial and military applications using push pull

circuits at frequencies to 500 MHz. The high power, high gain and broadband

performance of these devices makes possible solid state transmitters for FM

broadcast or TV channel frequency bands.

200/150 W, 50 V, 500 MHz

N–CHANNEL MOS

BROADBAND

•

Electrical Performance

RF POWER FETs

MRF176GU @ 50 V, 400 MHz (“U” Suffix)

Output Power — 150 Watts

Power Gain — 14 dB Typ

Efficiency — 50% Typ

MRF176GV @ 50 V, 225 MHz (“V” Suffix)

Output Power — 200 Watts

Power Gain — 17 dB Typ

Efficiency — 55% Typ

•

100% Ruggedness Tested At Rated Output Power

Low Thermal Resistance

Low C

rss

— 7.0 pF Typ @ V

= 50 V

(FLANGE)

CASE 375–04, STYLE 2

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

125

±40

Unit

Vdc

Adc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

Drain Current — Continuous

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

400

2.27

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

–65 to +150

200

°C

stg

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.44

°C/W

θJC

Handling and Packaging — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS (1)

Drain–Source Breakdown Voltage

(V = 0, I = 100 mA)

125

—

Vdc

mAdc

µAdc

(BR)DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

(V = 50 V, V = 0)

2.5

1.0

DSS

Gate–Body Leakage Current

(V = 20 V, V = 0)

—

GSS

NOTE:

1. Each side of device measured separately.

REV 8

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1995

MRF176GU MRF176GV

12 3 4 5 6 7...10

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与MRF176GU相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF176GV	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs
MRF176GV	TE	获取价格	The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 50V
MRF176GV	MACOM	获取价格	The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 50V
MRF177	TE	获取价格	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
MRF177	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
MRF177	MACOM	获取价格	The RF MOSFET Line 100W, 400MHz, 28V
MRF177M	MOTOROLA	获取价格	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF18	HRS	获取价格	MRF18 Series Vertical Mating, Non-Magnetic 8-channel Coaxial Connector
MRF18030A	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18030A	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors

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