MRF18030BR3

更新时间： 2024-02-29 05:42:37

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
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THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS

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MRF18030BR3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	NI-400, CASE 465E-04, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	83.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF18030BR3 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF18030B/D

The RF MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies

from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier

applications. Specified for GSM 1930 – 1990 MHz.

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• Typical GSM Performance:

Power Gain – 14 dB (Typ) @ 30 Watts

Efficiency – 50% (Typ) @ 30 Watts

GSM/GSM EDGE 1.93 – 1.99 GHz,

30 W, 26 V

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

LATERAL N–CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 30 W CW Output Power

• Excellent Thermal Stability

CASE 465E–03, STYLE 1

NI–400

MRF18030BR3

• Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm,

13 inch Reel.

CASE 465F–03, STYLE 1

NI–400S

MRF18030BSR3

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

+15, –0.5

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

83.3

0.48

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +200

200

°C

stg

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

2 (Minimum)

M3 (Minimum)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

2.1

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 2

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF18030BR3 MRF18030BSR3

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7 8

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