Datasheet > MRF18030ASR3

MRF18030ASR3

更新时间： 2024-01-17 17:14:52

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	504K
描述
L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, NI-400S, CASE 465F-04, 2 PIN

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MRF18030ASR3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	NI-400S, CASE 465F-04, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.25
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF18030ASR3 数据手册

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Freescale Semiconductor, Inc.

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by MRF18030A/D

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

MRF18030ALR3

^{N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs}MRF18030ALSR3

Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies

from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier

applications. Specified for GSM 1805 - 1880 MHz.

1.8 - 1.88 GHz, 30 W, 26 V

GSM/GSM EDGE

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• Typical GSM Performance:

Power Gain - 14 dB (Typ) @ 30 Watts

Efficiency - 50% (Typ) @ 30 Watts

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 30 W Output Power

• Excellent Thermal Stability

CASE 465E-04, STYLE 1

NI-400

MRF18030ALR3

• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40µ″ Nominal.

• in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

CASE 465F-04, STYLE 1

NI-400S

MRF18030ALSR3

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

83.3

0.48

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

2.1

°C/W

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

2 (Minimum)

M3 (Minimum)

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

Rev. 6

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF18030ALR3 MRF18030ALSR3

 Motorola, Inc. 2004

For More Information On This Product,

Go to: www.freescale.com

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MRF18030BLR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF18030BLSR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF18030BR3	FREESCALE	获取价格	THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERA
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