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MRF18030BSR3

更新时间： 2024-02-24 17:54:16

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
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8页	271K
描述
THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS

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MRF18030BSR3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	NI-400S, CASE 465F-04, 2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF18030BSR3 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF18030B/D

The RF MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies

from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier

applications. Specified for GSM 1930 – 1990 MHz.

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• Typical GSM Performance:

Power Gain – 14 dB (Typ) @ 30 Watts

Efficiency – 50% (Typ) @ 30 Watts

GSM/GSM EDGE 1.93 – 1.99 GHz,

30 W, 26 V

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

LATERAL N–CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 30 W CW Output Power

• Excellent Thermal Stability

CASE 465E–03, STYLE 1

NI–400

MRF18030BR3

• Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm,

13 inch Reel.

CASE 465F–03, STYLE 1

NI–400S

MRF18030BSR3

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

+15, –0.5

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

83.3

0.48

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +200

200

°C

stg

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

2 (Minimum)

M3 (Minimum)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

2.1

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 2

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF18030BR3 MRF18030BSR3

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF1803BR3	MOTOROLA	获取价格	THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERA
MRF1803BR3	FREESCALE	获取价格	THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERA
MRF1803BSR3	FREESCALE	获取价格	THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERA
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