MRF177M

更新时间： 2024-02-22 06:52:39

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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6页	190K
描述
2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET

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MRF177M 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.4667 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	270 W
最小功率增益 (Gp)：	10 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF177M 数据手册

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by MRF177/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF MOSFET Line

N–Channel Enhancement Mode MOSFET

100 W, 28 V, 400 MHz

Designed for broadband commercial and military applications up to 400 MHz

frequency range. Primarily used as a driver or output amplifier in push–pull

configurations. Can be used in manual gain control, ALC and modulation

circuits.

N–CHANNEL

BROADBAND

RF POWER MOSFET

•

Typical Performance at 400 MHz, 28 V:

Output Power — 100 W

Gain — 12 dB

Efficiency — 60%

•

Low Thermal Resistance

Low C

rss

— 10 pF Typ @ V

= 28 Volts

5, 8

1, 4

Ruggedness Tested at Rated Output Power

Nitride Passivated Die for Enhanced Reliability

Excellent Thermal Stability; Suited for Class A

Operation

CASE 744A–01, STYLE 2

•

Circuit board photomaster available upon request by

contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Adc

Drain–Source Voltage

Drain–Gate Voltage (R

Gate–Source Voltage

DSS

= 1.0 MΩ)

DGR

±40

Drain Current — Continuous

Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)

Derate above 25°C

270

1.54

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Temperature Range

–65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction–to–Case

0.65

°C/W

θJC

(1) Total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF push–pull amplifier.

NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 8

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1997

MRF177

12 3 4 5 6

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