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MRF18030A

更新时间： 2024-01-16 05:22:19

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
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RF Power Field Effect Transistors

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MRF18030A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
配置：	Single	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	83.3 W
子类别：	FET General Purpose Power	Base Number Matches：	1

MRF18030A 数据手册

Document Number: MRF18030A

Rev. 8, 5/2006

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies

from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier

amplifier applications. Specified for GSM 1805-1880 MHz.

MRF18030ALR3

MRF18030ALSR3

• Typical GSM Performance:

Power Gain - 14 dB (Typ) @ 30 Watts

Efficiency - 50% (Typ) @ 30 Watts

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 30 Watts CW Output Power

Features

1800-1880 MHz, 30 W, 26 V

GSM/GSM EDGE

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• Internally Matched for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.

• RoHS Compliant

CASE 465E-04, STYLE 1

NI-400

MRF18030ALR3

• in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

CASE 465F-04, STYLE 1

NI-400S

MRF18030ALSR3

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +65

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

83.3

0.48

W/°C

Storage Temperature Range

Case Operating Temperature

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

150

°C

stg

200

Table 2. Thermal Characteristics

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

2.1

°C/W

Table 3. ESD Protection Characteristics

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

2 (Minimum)

M3 (Minimum)

MRF18030ALR3 MRF18030ALSR3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7 8

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