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MRF18060AS

更新时间： 2024-09-25 19:47:27

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	186K
描述
L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 465A-06, 3 PIN

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MRF18060AS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.08
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF18060AS 数据手册

M OT O RO LA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF MOSFET Line

MR F 1806 0A R 3

MR F 1806 0A S

MR F 1806 0AS R 3

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from

1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier

applications. To be used in class AB for PCN–PCS/cellular radio and WLL

applications. Specified for GSM1805 – 1880 MHz.

1.80 – 1.88 GHz, 60 W, 26 V

LATERAL N–CHANNEL

RF POWER MOSFETs

•

Typical GSM Performance, Full Frequency Band (1805 – 1880 MHz)

Power Gain — 13 dB (Typ) @ 60 Watts

Efficiency — 45% (Typ) @ 60 Watts

•

Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

High Gain, High Efficiency and High Linearity

Integrated ESD Protection

Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 60 Watts (CW) Output Power

Excellent Thermal Stability

Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm,

13 Inch Reel.

CASE 465–06, STYLE 1

(NI–780)

(MRF18060A)

CASE 465A–06, STYLE 1

(NI–780S)

(MRF18060AS)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

Vdc

+15, –0.5

Total Device Dissipation @ T ≥ 25°C

180

Watts

Derate above 25°C

1.03

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +150

200

°C

stg

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

2 (Minimum)

M3 (Minimum)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.97

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 4

MOTOROLA WIRELESS

RF PRODUCT DEVICE DATA

MRF18060A MRF18060AR3 MRF18060AS MRF18060ASR3

5.2–213

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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