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MRF18030BLR3

更新时间： 2024-02-09 13:35:02
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飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器局域网
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8页 351K
描述
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF18030BLR3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：5A991
HTS代码：8542.31.00.01风险等级：5.11
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2JESD-609代码：e4
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：83.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：GOLD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF18030BLR3 数据手册

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Document Number: MRF18030B  
Rev. 7, 5/2006  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistors  
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs  
Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies  
from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier  
amplifier applications. Specified for GSM 1930-1990 MHz.  
MRF18030BLR3  
MRF18030BLSR3  
• Typical GSM Performance:  
Power Gain - 14 dB (Typ) @ 30 Watts  
Efficiency - 50% (Typ) @ 30 Watts  
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 30 Watts CW Output Power  
Features  
1930-1990 MHz, 30 W, 26 V  
GSM/GSM EDGE  
LATERAL N-CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
• Internally Matched for Ease of Use  
• High Gain, High Efficiency and High Linearity  
• Integrated ESD Protection  
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness  
• Excellent Thermal Stability  
• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.  
• RoHS Compliant  
CASE 465E-04, STYLE 1  
NI-400  
MRF18030BLR3  
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm,13 inch Reel.  
CASE 465F-04, STYLE 1  
NI-400S  
MRF18030BLSR3  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DSS  
- 0.5, +65  
- 0.5, +15  
V
GS  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
83.3  
0.48  
W
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Case Operating Temperature  
Operating Junction Temperature  
T
- 65 to +150  
150  
°C  
°C  
°C  
stg  
T
C
T
200  
J
Table 2. Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
2.1  
°C/W  
θ
JC  
Table 3. ESD Protection Characteristics  
Test Conditions  
Class  
Human Body Model  
Machine Model  
2 (Minimum)  
M3 (Minimum)  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2006. All rights reserved.  
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MRF18030BLSR3 FREESCALE

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 		RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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