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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLATPACK, R-CDFP-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 5A991 | HTS代码： | 8542.31.00.01 |
| 风险等级： | 5.05 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH EFFICIENCY | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 65 V |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFP-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRF18060BR3 | MOTOROLA |
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RF Power Field Effect Transistors |
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| MRF18060BSR3 | MOTOROLA |
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RF Power Field Effect Transistors |
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| MRF18085A | MOTOROLA |
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The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOS |
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| MRF18085A | FREESCALE |
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RF Power Field Effect Transistors |
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| MRF18085ALR3 | FREESCALE |
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RF Power Field Effect Transistors |
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| MRF18085ALSR3 | FREESCALE |
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RF Power Field Effect Transistors |
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| MRF18085ALSR3 | MOTOROLA |
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RF Power Field Effect Transistors |
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| MRF18085AR3 | MOTOROLA |
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RF Power Field Effect Transistors |
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| MRF18085B | FREESCALE |
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RF Power Field Effect Transistors |
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| MRF18085B | MOTOROLA |
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RF Power Field Effect Transistors |
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