Datasheet > MRF18085ALR3

MRF18085ALR3

更新时间： 2024-01-18 02:22:16

品牌	Logo	应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
页数	文件大小	规格书
8页	395K
描述
RF Power Field Effect Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MRF18085ALR3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.05
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF18085ALR3 数据手册

Document Number: MRF18085A

Rev. 6, 5/2006

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MRF18085ALR3

MRF18085ALSR3

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with

frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and

multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/

cellular radio and WLL applications. Specified for GSM - GSM EDGE

1805-1880 MHz.

1805-1880 MHz, 85 W, 26 V

GSM/GSM EDGE

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• GSM and GSM EDGE Performance, Full Frequency Band

(1805-1880 MHz)

Power Gain - 15 dB (Typ) @ 85 Watts CW

Efficiency - 52% (Typ) @ 85 Watts CW

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1840 MHz, 85 Watts CW

Output Power

Features

• Internally Matched for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Excellent Thermal Stability

CASE 465-06, STYLE 1

NI-780

MRF18085ALR3

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates

40μ″ Nominal.

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

CASE 465A-06, STYLE 1

NI-780S

MRF18085ALSR3

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +65

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

273

1.56

W/°C

Storage Temperature Range

Case Operating Temperature

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

150

°C

stg

200

Table 2. Thermal Characteristics

(1)

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.79

°C/W

Table 3. ESD Protection Characteristics

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

1 (Minimum)

M3 (Minimum)

1. Refer to AN1955/D, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes - AN1955.

MRF18085ALR3 MRF18085ALSR3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与MRF18085ALR3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF18085ALSR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18085ALSR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18085AR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18085B	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18085B	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18085BLR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18085BLSR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18085BLSR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18085BR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF18090A	MOTOROLA	获取价格	1.80 - 1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETS

与MRF18085ALR3相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

5
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

7
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

8
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MRF18085ALR3

MRF18085ALR3 技术参数

MRF18085ALR3 数据手册

与MRF18085ALR3相关器件

与MRF18085ALR3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MRF18085ALR3

MRF18085ALR3 技术参数

MRF18085ALR3 数据手册

与MRF18085ALR3相关器件

与MRF18085ALR3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？