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MRF18060BLR3

更新时间： 2024-01-24 00:47:31

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频放大器局域网
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RF Power Field Effect Transistor

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MRF18060BLR3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.06
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF18060BLR3 数据手册

Document Number: MRF18060B

Rev. 8, 5/2006

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

MRF18060BLR3

MRF18060BLSR3

Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from

1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier

applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL

applications. Specified for GSM 1930 - 1990 MHz.

• GSM Performance, Full Frequency Band (1930 - 1990 MHz)

Power Gain — 13 dB (Typ) @ 60 Watts CW

Efficiency — 45% (Typ) @ 60 Watts CW

1930-1990 MHz, 60 W, 26 V

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1960 MHz, 60 Watts CW

Output Power

Features

• Internally Matched for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Excellent Thermal Stability

• Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates

40μ″ Nominal.

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch Reel.

CASE 465-06, STYLE 1

NI-780

MRF18060BLR3

CASE 465A-06, STYLE 1

NI-780S

MRF18060BLSR3

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +65

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

180

1.03

W/°C

Storage Temperature Range

Case Operating Temperature

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

150

°C

stg

200

Table 2. Thermal Characteristics

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.97

°C/W

Table 3. ESD Protection Characteristics

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

2 (Minimum)

M3 (Minimum)

MRF18060BLR3 MRF18060BLSR3

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7...12

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