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MRF177

更新时间： 2024-11-17 22:45:59
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 190K
描述
N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET

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MRF177 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：65 V最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.4667 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：270 W最小功率增益 (Gp)：10 dB
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF177 数据手册

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by MRF177/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF MOSFET Line  
N–Channel Enhancement Mode MOSFET  
100 W, 28 V, 400 MHz  
Designed for broadband commercial and military applications up to 400 MHz  
frequency range. Primarily used as a driver or output amplifier in push–pull  
configurations. Can be used in manual gain control, ALC and modulation  
circuits.  
N–CHANNEL  
BROADBAND  
RF POWER MOSFET  
•
Typical Performance at 400 MHz, 28 V:  
Output Power — 100 W  
Gain — 12 dB  
2
Efficiency — 60%  
•
•
•
•
•
Low Thermal Resistance  
6
7
Low C  
rss  
— 10 pF Typ @ V  
= 28 Volts  
DS  
5, 8  
1, 4  
3
Ruggedness Tested at Rated Output Power  
Nitride Passivated Die for Enhanced Reliability  
Excellent Thermal Stability; Suited for Class A  
Operation  
CASE 744A–01, STYLE 2  
•
Circuit board photomaster available upon request by  
contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Drain–Source Voltage  
Drain–Gate Voltage (R  
Gate–Source Voltage  
V
DSS  
= 1.0 MΩ)  
V
DGR  
65  
GS  
V
GS  
±40  
16  
Drain Current — Continuous  
I
D
Total Device Dissipation @ T = 25°C (1)  
Derate above 25°C  
P
D
270  
1.54  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Temperature Range  
T
–65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction–to–Case  
R
0.65  
°C/W  
θJC  
(1) Total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF push–pull amplifier.  
NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 8  
Motorola, Inc. 1997  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF177M MOTOROLA

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