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MRF176GV

更新时间： 2024-11-19 14:54:59
品牌 Logo 应用领域
MACOM /
页数 文件大小 规格书
13页 957K
描述
The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 50V

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MRF176GV 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：CASE 375-04, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.71
外壳连接：SOURCE配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：125 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A
最大漏极电流 (ID)：16 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F4
元件数量：2端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：400 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON

MRF176GV 数据手册

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MRF176GU  
The RF MOSFET Line  
200/150W, 500MHz, 50V  
Rev. V1  
Designed for broadband commercial and military applications using push  
pull circuits at frequencies to 500 MHz. The high power, high gain and  
broadband performance of these devices makes possible solid state  
transmitters for FM broadcast or TV channel frequency bands.  
Product Image  
N–Channel enhancement mode  
Electrical performance  
MRF176GU @ 50 V, 400 MHz (―U‖ Suffix)  
Output power — 150 W  
Power gain — 14 dB typ.  
Efficiency — 50% typ.  
MRF176GV @ 50 V, 225 MHz (―V‖ Suffix)  
Output power — 200 W  
CASE 375–04, STYLE 2  
Power gain — 17 dB typ.  
Efficiency — 55% typ.  
100% ruggedness tested at rated output power  
Low thermal resistance  
Low Crss — 7.0 pF Typ @ VDS = 50 V  
1
M/A-COM Technology Solutions Inc. (MACOM) and its affiliates reserve the right to make changes to the product(s) or information contained herein without notice.  
Visit www.macom.com for additional data sheets and product information.  
For further information and support please visit:  
https://www.macom.com/support  
1234567...13

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