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MRF177

更新时间： 2024-11-19 14:50:55

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The RF MOSFET Line 100W, 400MHz, 28V

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MRF177 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CASE 744A-01, 8 PIN
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.17
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	270 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF177 数据手册

MRF177

The RF MOSFET Line

100W, 400MHz, 28V

Rev. V1

Designed for broadband commercial and military applications up to 400

MHz frequency range. Primarily used as a driver or output amplifier in

push–pull configurations. Can be used in manual gain control, ALC and

modulation circuits.

Product Image

N–Channel enhancement mode MOSFET



Typical performance at 400 MHz, 28 V:

Output power — 100 W

Gain — 12 dB

Efficiency — 60%



Low thermal resistance

Low Crss — 10 pF typ. @ VDS = 28 V

Ruggedness tested at rated output power

Nitride passivated die for enhanced reliability

Excellent thermal stability; suited for Class A operation

CASE 744A–01, STYLE 2

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