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MMFTNIX3230KEW-CH

更新时间： 2024-11-28 14:55:19

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小信号金氧半電晶體

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MMFTNIX3230KEW-CH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET/Schottky Barrier Diode

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Built-in G-S Protection Diode

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

• Typical ESD Protection HBM Class 1A

Q1: 1.Gate 2.Source 5.Drain

D1: 3.Anode 4.Cathode

SOT-353 Plastic package

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)(Q1)

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 12

1.5

Continuous Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

I_DM

360

P_D

℃

Max Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_J

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics(Q1)

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

347

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 03/08/2023 Rev:01

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