5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMDF2N02E | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS MOSFET 3.6 AMPERES 25 VOLTS |
|
| MMDF2N02E | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts N−Channel SO−8, Dual |
|
| MMDF2N02ER1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MMDF2N02ER2 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts N−Channel SO−8, Dual |
|
| MMDF2N02ER2 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| MMDF2N02ER2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts N−Channel SO−8, Dual |
|
| MMDF2N05ZR2 | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS POWER MOSFET 2.0 AMPERES 50 VOLTS |
|
| MMDF2N06V | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS MOSFET 3.3 AMPERES 60 VOLTS |
|
| MMDF2N06V1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| MMDF2N06V2 | MOTOROLA |
获取价格 |
3300mA, 60V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIATURE, CASE 751-05, SO-8 |
|
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
解读L9904TR手册资料：产品概述、主要功能、电气参数
芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
