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MMDF2N02ER1

更新时间: 2024-02-25 12:52:58
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 1004K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

MMDF2N02ER1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.64雪崩能效等级(Eas):800 mJ
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):2.2 A最大漏源导通电阻:0.1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:2端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):14 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):140 ns
最大开启时间(吨):40 nsBase Number Matches:1

MMDF2N02ER1 数据手册

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