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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE ENERGY RATED |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMDF3304R2 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MMDF3C03HD | MOTOROLA |
获取价格 |
COMPLEMENTARY DUAL TMOS POWER FET 30 VOLTS |
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| MMDF3C03HDR2 | MOTOROLA |
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5A, 30V, 0.05ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8, SO-8 |
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| MMDF3C05 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| MMDF3N02HD | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts N-Channel SO-, DuaL |
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| MMDF3N02HD | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS POWER MOSFET 3.0 AMPERES 20 VOLTS |
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| MMDF3N02HDR1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.09ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MMDF3N02HDR2 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts N-Channel SO-, DuaL |
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| MMDF3N02HDR2 | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS DUAL N-CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MMDF3N02HDR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 20V 3A 90 mOhm Dual N-Channel SO-8, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL |
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