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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.27 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 245 mJ | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 140 ns | 最大开启时间（吨）： | 40 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMDF2N02ER2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts N−Channel SO−8, Dual |
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| MMDF2N05ZR2 | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS POWER MOSFET 2.0 AMPERES 50 VOLTS |
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| MMDF2N06V | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS MOSFET 3.3 AMPERES 60 VOLTS |
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| MMDF2N06V1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MMDF2N06V2 | MOTOROLA |
获取价格 |
3300mA, 60V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIATURE, CASE 751-05, SO-8 |
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| MMDF2N06VL | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS MOSFET 2.5 AMPERES 60 VOLTS |
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| MMDF2N06VLR1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MMDF2N06VLR2 | MOTOROLA |
获取价格 |
2500mA, 60V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIATURE, CASE 751-05, SO-8 |
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| MMDF2P01HD | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 12 VOLTS |
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| MMDF2P01HDR1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.2ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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