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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.25 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 17 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMDF2P02E | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS MOSFET 2.5 AMPERES 25 VOLTS |
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| MMDF2P02E | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts P−Channel SO−8, Dual |
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| MMDF2P02ER1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.4ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| MMDF2P02ER2 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts P−Channel SO−8, Dual |
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| MMDF2P02ER2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts P−Channel SO−8, Dual |
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| MMDF2P02HD | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8, Dual |
|
| MMDF2P02HD | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 20 VOLTS |
|
| MMDF2P02HDR2 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8, Dual |
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| MMDF2P02HDR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8, Dual |
|
| MMDF2P03HD | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 2 Amps, 30 Volts PâChannel SOâ |
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