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MMBTA56-TP

更新时间： 2024-11-04 05:49:23

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美微科 - MCC		放大器
页数	文件大小	规格书
4页	113K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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MMBTA56-TP 数据手册

M C C

MMBTA55

THRU

MMBTA56

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

This device is designed for general purpose amplifier applications at

collector current to 300mA

PNP General

Purpose Amplifier

•

Marking : MMBTA55=2H/B55, MMBTA56=2GM/B56

Case Material:Molded Plastic. UL Flammability

Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1

Maximum Ratings

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

MMBTA55

MMBTA56

SOT-23

V_CBO

MMBTA55

MMBTA56

4.0

V_EBO

I_C

T_J

Emitter-Base Voltage

Collector Current, Continuous

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

500

-55 to +150

^OC

T_STG

Thermal Characteristics

Symbol

Rating

Max

Unit

P_D

Total Device Dissipation*

225

1.8

556

Derate above 25^OC

mW/ ^OC

R_JA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

^OC/W

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

DIMENSIONS

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

OFF CHARACTERISTICS

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage ⁽¹⁾

(I_C=1.0mAdc, I_B=0)

MMBTA55

MMBTA56

---

Vdc

V_(BR)EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=100ì Adc, I_C=0)

4.0

---

Collector Cutoff Current

CBO

.085

.37

(V_CB=60Vdc, I =0)

MMBTA55

MMBTA56

---

0.1

uAdc

(V_CB=80Vdc, I =0)

Suggested Solder

Pad Layout

I_CES

Emitter Cutoff Current

(V_CE=60Vdc, I =0)

---

0.1

uAdc

.031

.800

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain

(V_CE=1.0Vdc, I =10mAdc)

(V_CE=1.0Vdc, I =100mA)

.035

.900

100

---

.079

2.000

inches

V_CE(sat)

V_BE(on)

f_T

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=100mAdc, I_B=10mAdc)

Base-Emitter On Voltage

---

0.25

1.2

---

Vdc

MHz

(I_C=100mAdc, V_CE=1.0Vdc)

Current-Gain—Bandwidth Product⁽²⁾

(I_C=100mAdc, V_CE=1.0Vdc, f=100MHz)

.037

.950

.037

.950

* FR-5=1.0 X 0.75 X 0.062 in.

1. Pulse Test: Pulse Width<300us, Duty Cycle<2.0%

2. Alumina=0.4 X 0.3 X 0.024 in. 99.5% alumina.

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: 5

2008/01/01

12 3 4

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MMBTA56-TP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBTA56LT3G	ONSEMI	完全替代	Driver Transistors(PNP Silicon)
MMBTA56LT1G	ONSEMI	功能相似	Driver Transistors PNP Silicon
MMBTA56-7-F	DIODES	功能相似	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与MMBTA56-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTA56-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), PNP,
MMBTA56W	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBTA56W	FOSHAN	获取价格	SOT-323
MMBTA56W-AH	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBTA56WT1	ONSEMI	获取价格	Driver Transistor PNP Silicon
MMBTA56WT1G	ONSEMI	获取价格	Driver Transistor PNP Silicon
MMBTA5XLT1	WILLAS	获取价格	Driver Transistors
MMBTA63	MCC	获取价格	PNP Darlington Transistor
MMBTA63	SEMTECH	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
MMBTA63	BL Galaxy Electrical	获取价格	PNP General Purpose Transistor

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