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MMBTA63

更新时间: 2024-11-03 22:39:43
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2页 186K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE DARLING TON TRANSISTOR)

MMBTA63 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.22
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.5 A
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):10000
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.35 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):125 MHz
Base Number Matches:1

MMBTA63 数据手册

 浏览型号MMBTA63的Datasheet PDF文件第2页 

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