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MMBTA63

更新时间： 2024-11-05 14:54:39

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	599K
描述
双极型晶体管

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MMBTA63 技术参数

极性：	PNP	Collector-emitter breakdown voltage：	30
Collector Current - Continuous：	0.3	DC current gain - Min：	#
DC current gain - Max：		Transition frequency：	125
Package：	SOT-23	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

MMBTA63 数据手册

MMBTA63/MMBTA64

PNP Darlington Amplifier Transistor

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

SOT-23

Min

FEATURES

Dim

Max

3.10

1.50

2.70

Epitaxial planar die construction.

1.10

1.0 Typical

0.4 Typical

Complementary NPN type available

(MMBTA13/MMBTA14).

High current gain.

0.35

0.48

2.00

0.1

1.80

0.02

0.1 Typical

2.20

2.60

All Dimensions in mm

APPLICATIONS

Ideal for medium power amplification and switching.

ORDERING INFORMATION

Type No.

Marking

Package Code

MMBTA63

MMBTA64

SOT-23

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

UNIT

collector-base voltage

MMBTA63

MMBTA64

-30

V_CBO

collector-emitter voltage

MMBTA63

MMBTA64

-30

V_CEO

V_EBO

I_C

emitter-base voltage

collector current (DC)

Collector dissipation

-10

-0.5

P_C

0.3

R_θJA

T_j,T_stg

Thermal Resistance, Junction to Ambient

junction and storage temperature

417

°C/W

°C

-55 to +150

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

12 3

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与MMBTA63相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTA63 MMBTA64	UTC	获取价格	PNP
MMBTA63_08	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
MMBTA63_1	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA63_10	FAIRCHILD	获取价格	PNP Darlington Transistor
MMBTA63_2	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA63-7	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA63-7-F	DIODES	获取价格	PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA63L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
MMBTA63LT1	ONSEMI	获取价格	Darlington Transistors(PNP Silicon)
MMBTA63LT1	LRC	获取价格	Darlington Transistors(PNP Silicon)