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MMBTA56W

更新时间: 2024-11-05 14:55:35
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先科 - SWST 晶体管
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5页 758K
描述
小信号晶体管

MMBTA56W 数据手册

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MMBTA56W  
PNP Silicon General Purpose Transistor  
1.Base 2.Emitter 3.Collector  
SOT-323 Plastic Package  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Collector Base Voltage  
Symbol  
-VCBO  
-VCES  
-VEBO  
-IC  
Value  
Unit  
V
80  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
80  
V
4
500  
V
Collector Current  
mA  
mW  
Power Dissipation  
Ptot  
150  
O
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Tj, TStg  
- 55 to +150  
C
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
833  
Unit  
/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient 1)  
1) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
®
1 / 5  
Dated: 23/02/2023 Rev: 02  

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