是否无铅: | 含铅 | 生命周期: | End Of Life |
零件包装代码: | TO-236AF | 包装说明: | CASE 318-08, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
风险等级: | 5.24 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 30 V |
配置: | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE): | 10000 |
JEDEC-95代码: | TO-236AF | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e0 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 0.225 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 125 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MMBTA63LT1G | ONSEMI |
完全替代 |
Darlington Transistors PNP Silicon | |
MMBTA63 | ONSEMI |
类似代替 |
PNP达林顿晶体管 | |
MMBTA63 | FAIRCHILD |
功能相似 |
PNP Darlington Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBTA63LT1_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Transistors PNP Silicon | |
MMBTA63LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Transistors PNP Silicon | |
MMBTA63LT1G_09 | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Transistors | |
MMBTA63S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon | |
MMBTA63-TP | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, LEAD FR | |
MMBTA63-TP-HF | MCC |
获取价格 |
暂无描述 | |
MMBTA63W | SWST |
获取价格 |
达林顿三极管 | |
MMBTA64 | MCC |
获取价格 |
PNP Darlington Transistor | |
MMBTA64 | SAMSUNG |
获取价格 |
PNP (DARLINGTON TRANSISTOR) | |
MMBTA64 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Darlington Transistor |